栏目导航
联系我们

【48812】长江存储打破QLC闪存寿数!做到4000次PE

发表时间: 2024-06-30 作者: 国外案例

  SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路开展下来,存储密度渐渐的升高,而寿数和可靠性不断下滑,比方作为最要害的衡量目标,P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。

  依据的材料显现,SLC闪存的P/E可以到达5000-10000次之多,MLC一般在1000-10000次规模,TLC现在最高就只能做到3000次,QLC的线次。

  不过,长江存储凭仗共同、优异的Xtacking晶栈架构规划,走出了归于自己的特征路途,闪存寿数可靠性大大提高。

  比方长江存储新一代的QLC 3D NAND闪存,内部代号“X3-6070”,就有着极为优异的本质,可满意企业级、消费级、嵌入式全场景的使用需求。

  依据官方介绍,长江存储X3-6070 QLC闪存的IO接口传输速度到达了2400MT/s,比较上代的1600MT/s提高了足足50%,一起读取、写入速度都有着挨近100%的提高。

  更难以想象的是可靠性和寿数,它的P/E竟然能做到惊人的4000次,是一般QLC闪存的4倍!

  据长江存储的工作人员泄漏,他们的QLC闪存之所以能做到这一点,一方面来自共同的Xtacking晶栈架构,另一方面也是工艺和技能日渐老练的成果。回来搜狐,检查更加多